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可控硅晶闸管IGBT模块FD1200R17HP4_B2高频IGBT功率模块

更新时间:2023-08-15 13:57:02 信息编号:a91ej270ab15de
可控硅晶闸管IGBT模块FD1200R17HP4_B2高频IGBT功率模块
  • 面议

  • INFINEON/英飞凌

  • FD1200R17HP4B2

  • INFINEON英飞凌,英飞凌IGBT模块,FD1200R17HP4B2,可控硅模块

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详情介绍

产品别名
IGBT功率模块,英飞凌IGBT功率模块,英飞凌IGBT,IGBT驱动板
面向地区
全国
品牌
INFINEON/英飞凌
型号
FD1200R17HP4B2
产地
德国
材质
标准
封装
BGA
额定电压
1v
产品认证
其它
加工定制
用途
电力电子
特性
标准
规格尺寸
标准

可控硅晶闸管IGBT模块FD1200R17HP4_B2高频IGBT功率模块

品牌: INFINEON英飞凌

型号: FD1200R17HP4_B2

控制方式: 单向

极数: 二极

封装材料: 平底形

封装外形: 平板形

关断速度: 高频(快速)

散热功能: 不带散热片

频率特性: 频

功率特性: 大功率

额定正向平均电流: 1200(A)

控制极触发电流: 1200(A)

大稳定工作电流: 1200(A)

反向重复峰值电压: 1700(V)

种类: 功率半导体

用途: 电力、电子

应用范围: 航空、新能源,电力电子等</a>

上海鹏森新能源科技有限公司 5年

  • 快速恢复二极管模块,可控硅模块,平板型可控硅,快速熔断器
  • 上海市松江区乐都西路825弄8990号5层

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